PLASMA 플라즈마

개요

PLASMA 플라즈마 In physics and chemistry, plasma is a state of matter similar to gas in which a certain portion of the particles are ionized.Heating a gas may ionize (reduce thenumber of electrons in)우주의 99%는 플라즈마로 구성되어 있다.물질은 기본적으로 고체, 액체, 기체의 3가지 형태로 이루어져 있다.그러나 물질에 열이나 또는 다른 형태의 에너지를 충분히 가하게 되면 그 세 가지 상태가 아닌 다른 상태로 변하게 되는데 이를 플라즈마라고 한다. 흔히 플라즈마를 물질의 제4의 상태라고 표현하기도 한다. 태양, 별, 번개, 오오라, 촛불, 형광도 우리가 주변에서 접할 수 있는 플라즈마이다.그러나 지구에는 대기가 존재하고 또 그로 인한 기압이 작용하므로 플라즈마 상태로 존재하기가 쉽지 않다. 일단 플라즈마 상태가 되면 빛을 발생시키고 전도성이 있는 상태가 된다. 플라즈마 상태에서는 이온, 전자, 라디칼등이 뒤섞여 있고 또 매우 반응성이 좋은 상태가 된다. 이를 이용하여 Wafer나 LCD glass등의 표면을 Cleaning하기도 하고 또 Ashing이나 Etching에 이용하기도 한다. 단순히 위에 나열한 것에만 이용되는 것이 아니라 앞으로 응용하게 될 분야가 무궁무진한 첨단 분야라고 말할 수 있다.

프라즈마 역사

1750년대:Benjamin Frankiln 이Leyden 병을이용하여 실험한 결과 번개는전기현상이다 라는것을 밝힘 전기적 방전에서부터 플라즈마의 개념은 시작되였다고 봐야 할 것이다.따라서 전기현상인 번개의 피해로부터 예방하기 위해 피뢰침을 생각하게 되었다.저기는 음전기와 양전기로 나뉘어 지므로음전기와양전기등의개념을 도입 번개를 피하기위한 피뢰침을 고안최초의전기공학자19세기:방전에관한 본격적인연구들이 진행되기시작(Michael Faraday),1898년대: William Crookes,기체가전자와양성이온으로분리되는것을이온화라고정의,1920년대:Irving Langmuir, 플라즈마정의,플라즈마경계면에대해서Sheath 개념을 도입자기장에서의 이온들의 역학에 관한 이론들이 나오면서 많은 발전이 이루어짐1940년대후반:2차대전을 계기로 레이더가 개발되면서 축적된기술로 Microwave를 이용한 플라즈마개발 1950년대:선진국을중심으로 핵융합에 대한연구가활발이 이루어짐 플라즈마물리학의 많은발전을이룩 1970년대이후:미세전자회로 가공을위해 플라즈마를 이용건식 식각 및 증착공정을산업에적용.

내 용

플라즈마라는 말을 물리학 용어로 처음 사용한 사람은 미국의 물리학자 'Langmuir'(랑뮈어)로서, 전기적인 방전으로 인해 생기는 전하를 띤 양이온과 전자들의 집단을 플라즈마라고 하고 그 물리적인 성질을 연구하는 것이 플라즈마 물리학이다.물질 중 가장 낮은 에너지 상태는 고체이다.이것이 열(에너지)을 받아서 차츰 액체로 되고 그 다음에는 기체로 전이를 일으킨다.기체에 더 큰 에너지를 받으면 상전이 와는 다른 이온화된 입자들,즉 양과 음의 총 전하 수는 거의 같아서 전체적으로는 전기적인 중성을 띄는 플라즈마 상태로 변환한다.플라즈마 상태는 그 밀도와 온도를 그 주 파라미터로 사용하며 이 두 가지 요소에 따라 우리주변에서도 쉽게 찾아 볼 수 있는 플라즈마 상태들, 즉, 네온사인이나 형광등으로부터 시작하여 북극의 오로라, 태양의 상태, 핵융합로에서의 플라즈마 상태등 광범위하게 분류되어질 수가 있다.플라즈마라는 용어가 일반인들에게는 생소하게 들릴지는 모르지만 각 가정에서 조명등으로 사용하고 있는 형광등이나,길거리에서 흔히 볼 수 있는 네온사인, 한 여름에 소나기가 쏟아지면서자주 발생하는 번갯불과 같은 것들이 플라즈마 상태라고 하면 이해하기가 쉬울 것이다.이중 공업적으로 이용이 활발한 플라즈마는 저온 글로우 방전 플라즈마로서 반도체 공정에서 플라즈마 식각(Plasma Etch) 및 증착(PECVD: Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition),금속이나 고분자의 표면처리, 신물질의 합성 등에서 이용되고 있으며,공정의 미세화,저온화의 필요성 때문에 플라즈마 공정이 종래의 공정을 대체하고 있으며,경우에 따라서는 플라즈마 만이 제공할 수 있는 물질이나 환경을 이용하기 위한 응용분야가 점점 더 확대되고 있다 플라즈마 속에는 전기적으로 중성인 원자들로만 이루어진 고온 기체와는 달리 서로 반대의 전하를 띤 입자들, 즉 전자와 원자핵이 뒤섞여 존재한다. 따라서 전체적으로는 중성이지만 국부적으로 이온과 전자 사이의 전하 분리에 의해 전기장이, 전하의 흐름에 의해 전류와 자기장이 발생하게 된다. 전기장과 자기장은 보다 넓은 영역에 효력을 미치게 되어 매우 복잡하지만 활용성 또한 높은 물리적 현상이 나타난다.

이온 가스

전해수 생성 원리

대부분 물질이 고온의 가스 상태에서는 전기적으로 중성 원자들로 구성되어 지지만,플라즈마 상태에서는 서로 상반된 전해 분자 전자(electrons)와 이온(ions)으로 구성된다. 이 플라즈마 상태에서 전자와 이온이 분리되면 전기장을 만들고 이들 전자와 이온이 이동하면서 전류와 자기장을 생성 시킨다. 지구상에서 플라즈마는 아주 미미하게 발생하지만 전 우주적으로 생각해 보면 전체 우주는 플라즈마 상태가 된다. 예를 들어 태양과 대부분의 별들은 플라즈마로 구성되어 있다. 행성과 행성사이 은하계 공간과 지구의 이온층 또는 전리층이 대표적인 플라즈마의 예이다. 왼쪽 [그림2]은 지구가 태양풍(Solar Wind)이라 불리는 플라즈마의 흐름을 지구의 자기장에 의해서 보호되는 형상을 나타내고 있다

좀더 쉬운 예로 플라즈마에 대하여 알아 보자:차가운 얼음 조각을 전자 현미경으로 관찰해 보면 각각의 원자가 격자 모양으로 서로 단단히 고정되어 있으며 이것이 고체 상태가 된다. 여기에 약간의 에너지 즉, 열을 가하거나 강한 빛을 쪼여 주게 되면 온도가 상승하고 원자는 격자 상태의 공간에서 움직이기 시작한다. 여기에 에너지를 좀더 가하게 되면 원자들의 움직임이 활발해진다. 이때 고체 상태가 녹으면서 액체 상태로 된다. 이 상태에서 에너지를 더 가하면 원자들 사이가 멀어지면서 사방으로 움직이기 시작하고 액체 상태는 끓기 시작하여 기체 상태가 된다. 위의 3가지 상태 중에는 원자나 분자는 전기적으로 중성이 된다. 즉, 모든 원자는 같은 수의 + 전극(protons)과 -전극(electrons)을 가지고 있다.이 상태에서 좀더 에너지를 가하게 되면 일정 시점에서 빛을 발하기 시작한다. 이때 물질은 더 이상 기체 상태가 아니고 플라즈마 상태로 변하게 된다. 에너지는 중성 원자나 분자를 두개 이상의 전기적 전하 상태로 만들어 버린다. 중성 원자 주의를 돌던 전자는 궤도를 벗어나 이탈하여 자유로운 상태가 된다. 이렇게 생성된 전자들이 점점 증가하여 축적되면 각각 랜덤으로 움직이던것을 멈추고 마치 물고기가 돌고래를 피하기 위해 단체로 움직이는 것처럼 흐르게 된다. 지구상에서는 이러한 플라즈마가 번개나 오로라 형태로 나타나게 된다. 태초의 지구 대기에 있던 번개 형태의 플라즈마가 생물학적 분자 구조를 형성하는 최초의 복잡한 분자구조를 생성했을것이라 여겨지고 있다.인류가 만들어낸 플라즈마는 여지껏 생성된 가장 강력하고 널리 알려진 기술이다. 플라즈마는 다양한 방법으로 생성되는데 대부분, 컨테니이너 속에 있는 중성 원자에 전자기장력을 복제하여 만든다.우리는 형광등이나 네온사인을 켤때마다 플라즈마를 형성한다. 플라즈마는 컴퓨터나 마이크로프로세서의 칩을 만드는데 사용되고 인공관절,제트 터빈날개,플라스틱,금속 막을 씌우는데 사용되고 PDP TV나 철골 건물의 뼈대를 용접하는데 플라즈마 아크가 쓰이기도 한다. 플라즈마가 없었다면 거대 현대 문명을 이룩하는데 이바지하는 IC 가 없었을 것이다. 미래의 플라즈마 응용분야는 값싼 전기에너지를 생산하는 핵융합 반응로나 우주선을 이동시키는 추진력 개발에 쓰일 것이다. 　

플라즈마의 종류

산업적으로 사용되는 플라즈마는 저온 플라즈마와 열 플라즈마로 나눌 수 있는데 저온 플라즈마의 경우 반도체 제조 공정에서 가장 널리 사용되고 있으며, 열 플라즈마는 금속의 절단 등에 응용하고 있다.

 

열 플라즈마.

열 프라즈마

반도체/LCD 제조에 사용되는 폭발성, 부식성, 독성 가스뿐만 아니라 온실 가스인 PFCs 가스를 열플라즈마(Thermal Plasma)를 이용하여 완전 분해 처리함.

열플라즈마 (Thermal Plasma): 고온 (3,000 ℃ 이상), 높은 화학적 활성을지님

Thermal Plasma Decomposition:고온의 열플라즈마내에서 유해가스의 완벽 한 분해 처리,Sprayed Quenching/Absorption처리효율의 향상과 By-product의 탁월한 억제 효과

열플라즈마(Thermal plasma)는 주로 아크 방전에 의해 발생시킨 전자,이온, 중성입자로 구성된 기체로 구성입자가 1,000-20,000 ℃와 100-2,000 m/s 를 갖는 고속의 젯트 불꽃 형태를 이루고 있다.이렇게 고온, 고열용량, 고속, 다량의 활성입자를 갖는 열플라즈마의 특성을 이용하여,재래식 기술에서는 만들 수 없는 다양하고 효율적인 고온 열원이나 물리화학 reactor로 사용되어, 여러 산업분야에서 이용 되고 있다.아크방전을 이용한 극간의 직류 또는 교류 아크방전에 의해 기체를 플라즈마화 하는 방법은,플라즈마를 노즐상의 전극으로부터 고속 고온의 제트로서 분사시키는 플라즈마 토치 형식이 다양하게 고안되어 실용화되어 있다.1950년대 초기에 현재 사용되고 있는 torch 의 기본적 구조가 거의 확립되었고,이후 플라즈마 공정의 발전에 큰 공헌을 하고 있다.가장 일반적인 형태는 제트 방식인 비이송(이행)식 (non-transferred type)으로 텅스텐 음극 봉과 동 양극 노즐 간의 직류 아크 방전을 이용하는 것,관 형태의 동 전극간의 직류 또는 교류 아크방전을 이용하는 것이 있고,자계를 인가해서 전극상의 아크 점을 회전 이동시켜서 전극의 손실을 방지하고 부수적으로 플라즈마를 회전시키는 것도 가능하며 메가와트 급의 출력의 토치가 개발되고 있다.대상물을 양극으로 하며 토치의 음극에서 이것에 직접 아크를 집중하는 방식도 있으며,이것을 이송(이행)식(transferred type)이라 불린다.비이송(이행)식 (non-transferred type) 은 주로 열분해 방식의 대기오염 물질처리 분야에서 이송(이행)식(transferred type) 은 주로 열 용합방식의 고형 폐기물처리 분야에 많이 활용되어 지고 있다.

대기압 프라즈마:플라즈마라는 용어가 사용된지는 80여년이 지났을 뿐이다 그동안 플라즈마라고 하면 진공 챔버 안에서 발생하는 진공 플라즈마가 대부분이었다고 해도 과언이 아니다.진공에서는 낮은 파워로 쉽게 플라즈마를 발생시킬 수 있지만 대기압에서는 상황이 완벽하게 달라진다.우선 파워가 올라가고 또 일단 플라즈마가 발생하더라고 균일성이나 안정성에서 진공에서의 그것과는 차이가 나는 것이 사실이었다.하지만 연구에 연구가 거듭되어진 결과 현재는 대기압 플라즈마를 실제로 산업에 응용하는 단계로 발전하게 되었다.아직까지는 진공의 이론을 이용해서 실험이 이루어지고 있으나 조건이 틀려진 만큼 적용이 되지 않는 부분이 더 많은 것이 사실이다.그러므로 단지 대기압에서 플라즈마를 생성하는 것만이 목표가 아닌 대기압 하에서의 플라즈마 이론을 찾아내는 것도 중요한 점이라고 할 수 있겠다.

	대기압 플라즈마
	정의	기체의 압력을 100 Torr 부터 대기압(760 Torr) 이상 까지 유지하면서 저온 플라즈마를 발생하는
		기술을 의미한다.
	특징	대기압 플라즈마 시스템의 특징은 화학적 라디칼 생성에서 다른 종류의 발생방식보다 월등히 높은
		효율을 나타낸다.
	구분	대기압 플라즈마 시스템은 발생방식에 따라 DBD(Dielectric Barrier Discharge)방전 시스템,
		capillary 방전, Micro-discharge 시스템, RF&MF 대기압 방전 시스템,  μ-wave 방전 시스템,
		Induction & DC Torch 시스템 등으로 구분된다.
	응용분야	대기압 플라즈마 시스템은 고가의 진공 장비를 필요로 하지 않기 때문에 경제적이며 펌핑(pumping) 시간이
		없고, 인라인 형태로 공정이 가능하므로 생산성을 극대화할 수 있는  플라즈마 시스템을 개발 할 수 있다.
		대기압 플라즈마 시스템을 사용하는 응용분야로는 초고속 에칭& 코팅기술, 반도체 패키징, 디스플레이,
		물질의 표면 개질 및 코팅 그리고 나노분말 생성, 유해가스 제거 및 산화성 기체의 생성 등 여러 응용분야가 있다.
				적용기술	적용 분야
		물질의 표면 개질(reforming)  및 코팅 기술	- 반도체 후공정을 위한 표면 개질 기술
			- 표면 친수성 개선 기술
		환경 기술	- 환경오염 가스 제거 기술
			- 상 · 하수 처리 시 유해물질 제거 및 소독
			- 이산화탄소 저감 기술
		디스플레이 기술	- 디스플레이 평판 세척공정
			- 디스플레이 평판 PR rework 공정
			- 디스플레이 평판 PR 에싱(ashing)
			- LCD용 광원 기술
			- 플라즈마 판넬 디스플레이(PDP)
		나노기술	- 금속 나노 분말제조 공정 기술
			- 탄소 나노 튜브 제조공정
	정의				기체의 압력을 100 Torr 이하로 유지하여 저온 플라즈마를 발생시키는 시스템기술을 의미한다.
	특징	진공 플라즈마의 특징은 정상 상태의 안정한 Glow Discharge 상태를 유지하여 모재(Materials)에
		하전입자의 손상을 최소화하며 공정을 수행한다.
	구분	진공 플라즈마는 발생방식에 따라 CCP(Capacitively Coupled Plasma) 시스템,
		ICP(Inductively Coupled Plasma) 시스템, ECR(Electron Cyclotron Resonance) 플라즈마 시스템,
		SWP(Surface Wave Plasma) 시스템, Helicon Wave 플라즈마 시스템, e-beam 플라즈마 시스템,
		Pulsed DC 시스템, 이중 주파수(Dual Frequency) 를 이용한  CCP 시스템 등으로 구분된다.
	응용분야	100 Torr 이하의 기체 압력에서 작동되는 플라즈마 시스템을 의미한다. 진공 플라즈마 시스템을 이용하는
		응용분야로는 일반 반도체 공정에서 사용되는 건식 식각 공정, 증착 공정, 에싱(ashing) 공정,
		ALD(Atomic Layer Deposition) 등이며 display panel 제조공정, 탄소나노 튜브(CNT)의 성장 등의
		공정에서 사용된다.
		적용기술	적용 분야
		반도체 기술	건식 식각 장비기술
			박막 증착 장비기술
			반도체 PR 에싱(ashing) 장비 기술
		디스플레이 기술	디스플레이 평판 식각장비 기술
			디스플레이 평판 박막증착 장비 기술
		Nano 및 Bio 기술	ALD(Atomic Layer Deposition) 성장 기술
			탄소나노튜브 성장기술
			- 의료용 멸균 기술
	차세대 플라즈마
	정의	위에서 설명된 플라즈마 발생 기술이외에 신개념 저온 플라즈마  발생 시스템 및 차세대 신기술에
		사용될 수 있는 플라즈마를 이용한 시스템을 의미한다.
	특징	산업체에서 요구되는 특성을 갖는 신개념 플라즈마 방식으로 예를 들면 중성입자 빔 소스 시스템은
		플라즈마를 가속하여 도체의 표면 혹은 중성입자와의 충돌에서 플라즈마 중에서 이온을 고 에너지 중성
		입자로 변환시키는 기술로써 기존의 저온 플라즈마 시스템의  문제점을 근본적으로 해결하는 기술로써
		개발이 요구된다. 그 밖에 기존의 저온 플라즈마보다 더 낮은 온도의 극저온 플라즈마 발생 시스템의  기술도 범주에 포함된다.
	구분	중성입자 빔(Hyper-Thermal Neutral Beam) 시스템, UV-Assisted 플라즈마 시스템,
		100kHz MF(middle Frequency) ICP 시스템 등이 있다.
	응용분야	중성입자 빔의 응용분야로는 차세대 반도체 공정에 나노 스케일 반도체 식각 장비, 나노 스케일 증착 공정
		및 나노 스케일 리소그래피(Lithography) 공정에서 사용되며 양질의 탄소 나노 튜브 성장 공정에서도 사용될
		수 있다. 강력한 EUV를 내는 광소스는 리소그래피에 사용되며 전자빔, 이온빔과 같은 전하입자 빔은 핵융합, 환경산업 등에 사용되고 있으며, 또한 기존의 플라즈마 소스의 약점을 극복하여 새로운 개념의 플라즈마 소스로 대체하는 기술이다.
		적용기술	적용 분야
		반도체 및  Nano 기술	하전 손상(Charge Damage)이 없는 0.1 마이크론  이하의 선폭 식각 기술
			50nm 이하의 선폭 리소그래피 기술
나노 스케일 초미세 박막 증착 기술
저온 탄소 나노튜브성장 기술
Organic 기판에 상온 박막 증착 기술
핵융합및환경기술		고온 플라즈마를 위한 중성입자 빔  heating 시스템 기술
		전자빔에 의한 하폐수 처리 기술
Bio기술 분야		Biological structure 규명
		DNA 합성

저온 플라즈마:일반적으로 저온 플라즈마는 반도체 제조, 금속 및 세라믹 박막제조,물질합성 등 다양한 활용성을 가지고 있는데, 대부분 저압에서 생성된다.상압 비평형 플라즈마는 대기압에서 저온의 플라즈마를 얻음으로써 진공유지,처리물 장입과 관련된 장치 비용을 줄일 수 있을 뿐만 아니라, 배연가스 처리 및 공기청정과 같이 활용 분야도 더 넓다. 상압 비평형 플라즈마는 펄스 코로나방전과 유전체 장벽방전으로 주로 발생된다.상압 플라즈마의 발생은 대기압하에서 다양한 방법의 전기방전을 이용하되,전자 에너지의 세기가 이온 및 중성입자 등의 에너지보다 높게 유지되도록,즉, 플라즈마가 비평형 상태를 이루도록한다.전체적인 플라즈마의 온도는 상온~1,000K인데 반해,전자(electron)의 온도는 10,000 K ~100,000 K가 유지됨으로써 다양한 플라즈마 화학반응 및 표면처리의 응용에 적합한 방전이 가능하다.상압플라즈마를 구현하는 방법으로는 유전체 장벽 방전 (Dielectric Barrier Discharge,DBD), 코로나 방전(corona discharge),마이크로웨이브 방전(microwave discharge), 아크방전(arcdischage) 등의 기술이 있다.이 중 수천도의 높은 온도를 수반하여 주로 spray melting등에 사용하는 아크방전을 제외한 나머지 기술은 모두 비교적 저온에서 구현이 되므로 폴리머 분야나 전자/반도체 공정에 사용이 가능하며,현재 널리 그 가능성이 타진되거나 적용이 이미 되고 있다.이 중 유전체 장벽 방전은 기존의 진공플라즈마에 비해 100~1000배 이상 높은 반응활성종(radical)의 농도를 구현할 수 있으면서도 온도가 상온~150℃로 낮아서 폴리머, glass 및 저융점 금속의 표면처리에 적합하다.

반도체 공정 플라즈마:플라즈마 에싱(ashing) 플라스마를 이용한 에싱 공정은 Irving이 1968년 Kodak PR 세미나에서 가능성을 제시한 이후 널리 이용되기 시작하였다.이것은 반도체 제조공정에서 종래 사용되어 왔던 화공약품 (H2SO4/H2O2 또는 알칼리용액)을 사용하는 습식 제거 방법의 단점 (막대한 화공약품을 사용함으로 인한 경제적 부담, 폐수처리 등의 환경문제,비효율성과 이온주입을 받은 PR은 습식 방법으로 제거곤란)을 해결하기 위하여 제안되었으며,화학적 에칭과 같은 원리를 이용한다.초기의 에싱장비는 배치식(100매/배치) 처리를 위하여 원통형의 챔버 구조를 갖고 있었다.PR은 C, H, O의 원자들로 구성되어있는 폴리머이므로 에싱 공정에서는 주로 O2 가스를 사용하여 CO, CO2 등의 휘발성 반응생성물 생성을 통해 제거된다.이러한 에싱공정은 여러 가지 단점들을 갖고있다.이중 가장 커다란 문제는 전하축적 손상이다.에싱 중 일부의 축적전하 전류가 얇아진 PR을 뚫고,하지 도체 막에 전달되어 쌓이면 그 밑에 있는 게이트 산화막을 파괴할 수 있다.또한, PR없이 웨이퍼가 플라스마에 노출되면 에싱으로부터 더 심각한 손상을 받을 수 있다.또 하나의 문제점은 PR속에 미량으로 함유된 중금속 등이 플라스마 에싱으로는 제거할 수 없어 에싱 후 남게 되므로 후속공정에서 하지막으로 확산되어 디바이스의 특성을 저하시키기도 한다.이러한 문제들을 해결하기 위해 PR 제거공정은 100 % 플라스마 에싱 공정만으로 구성되지 않고,플라스마 에싱과 습식방법을 9:1 정도의 비율로 적용, 잔유물을 완전히 제거한다.최근 들어 디바이스 고집적화 (submicron device)로 게이트 산화막의 두께가 6 nm 이하로 줄어들어, 플라스마 손상은 디바이스의 신뢰성을 저하시키는 중요문제로 다시 부각되고 있다.플라스마 에싱이 공정의 가장 후반 공정이므로 웨이퍼가 플라스마에 직접 노출되어 가장 심각한 손상을 야기시킨다.보통 플라스마에 의한 손상은 PR없이 플라스마 노출시간을 증가시키는 방법으로 평가하였으나,최근에는 금속전극 상단에 있는 PR이 전하축적을 일으켜 얇은 게이트 산화막을 열화시킨다는 보고가 있어,이에 대한 측정 방법으로 금속-안테나 구조를 이용,전하축적에 의한 산화막의 파괴특성을 평가하는 것이 일반화되고 있다

플라즈마 CVD:얇은 박막들은 현 VLSI회로 제조 공정에서 디바이스 내에서 도체, 금속배선 사이의 전기적 절연체 또는 주변과의 고립을 위하여 널리 사용되고 있다.이런 얇은 박막에 요구되는 조건들은 다음과 같다. 막 두께는 디바이스 전체뿐만 아니라 웨이퍼간에도 균일해야 하며, 박막의 구조와 조성은 재현성이 있어야 한다.끝으로 박막증착방법은 안정성, 재현성, 쉬운 자동화와 가격경쟁력이 있어야한다.가장 널리 사용되고있는 물질은 폴리 실리콘,산화막, 질화막 등이 있다.이러한 박막을 생성하는 방법들은 크게 APCVD(Atmospheric Pressure CVD), LPCVD(Low-Pressure CVD),그리고 PECVD(Plasma-Enhanced CVD) 등이 있다.